晶圆湿式蚀刻机

设备能力

  • 佳宸开发的专利公自转喷洒式湿蚀刻设备,可改善传统湿蚀刻机的现存缺点,如:蚀刻均匀性、侧蚀及产能等问题。
  • 特殊喷洒方式配合混酸及恒温系统,藉由参数设定精确微调控制侧蚀深度。
  • 可同时蚀刻多片晶圆,提升蚀刻的对称性,同时减少药液的消耗量。
  • 佳宸创新的公自转喷洒蚀刻方式,已取得台湾及大陆的发明专利,并获得台湾金峰奖杰出创新研发奖的肯定。

 

设备特征

  • 可参数微量控制侧蚀深度。
  • 蚀刻均匀度<5 %( within wafer)。
  • 可同时蚀刻多片晶圆。
  • 公自转原理-蚀刻线路可获得良好对称性。
  • 特殊喷洒方式可减少药液使用量。
  • 目前制程能力线宽可达1um。
  • 可选配混酸系统、控温系统及废液回收系统。
  • 可程式化控制多轴摆臂系统。
  • 不同产品载盘客制化设计;如wafer form、Frame form、Panel  form 。
  • 可搭配设备前段模组(EFEM)。
  • 特殊防爆安全装置及设计。
  • 通过SEMI-S2认证。
  • 设备机型:1-chamber、 2-chamber,每个腔体可放置2~3片晶圆。

 

设备适用尺寸

  • 客制化设备符合2”、4“、6”、8“及12”。