晶圆背面清洗机

设备说明

  • 此设备应用于研磨后之晶圆背面清洗,主要为去除晶背Si 粉尘及SiO2。
  • 主要产品应用为:

    1. 晶圆背面需镀金属膜,须完全去除晶圆背面Si 粉尘及SiO2 ,须采用少量稀释之HF做微蚀刻,再以纯水清洗。

   2. 小尺寸晶片之晶圆背面单纯增加切割胶带附着力,只需去除90%以上Si 粉尘及SiO2 ,避免晶圆切割歪裂现象,可直接采用纯水清洗。

设备特征

  • 可程式化控制多軸擺臂系統。
  • 雾化系统可将水分子雾化至7~9um。
  • 可程式化控制多轴摆臂系统。
  • 不同产品载盘客制化设计;如wafer form、Frame form、Panel form。
  • 可搭配设备前段模组(EFEM)。
  • 可选配混酸系统、恒温系统及废液回收系统。
  • 特殊防爆安全装置及设计。
  • 通过SEMI-S2认证。
  • 设备机型:1-chamber、 2-chamber 、 4-chamber。

设备适用尺寸

  • 客制化设备符合2”、4“、6”、8“及12”。