晶圓濕式蝕刻機

設備能力

  • 佳宸開發的專利公自轉噴灑式濕蝕刻設備,可改善傳統濕蝕機的現存缺點,如:蝕刻均勻性、側蝕及產能等問題。
  • 特殊噴灑方式配合混酸及恆溫系統,藉由參數設定精確微調控  制側蝕深度。
  • 可同時蝕刻多片晶圓,提昇蝕刻的對稱性,同時減少藥液的消耗量。
  • 佳宸創新的公自轉噴灑蝕刻方式,已取得台灣及大陸的發明專 利,並獲得台灣金峰獎傑出創新研發獎的肯定。

 

設備特徵

  • 可參數微量控制側蝕深度。
  • 蝕刻均勻度<5 %( within wafer)。
  • 可同時蝕刻多片晶圓。
  • 公自轉原理-蝕刻線路可獲得良好對稱性。
  • 特殊噴灑方式可減少藥液使用量。
  • 目前製程能力線寬可達1um。
  • 可选配混酸系统、控温系统及废液回收系统。
  • 可程式化控制多軸擺臂系統。
  • 不同產品載盤客製化設計;如wafer form、Frame form、Panel   form 。
  • 可搭配設備前段模組(EFEM)。
  • 特殊防爆安全裝置及設計。
  • 通過SEMI-S2認證。
  • 設備機型:1-chamber、 2-chamber,每個腔體可放置2~3片晶圓。

 

設備適用尺寸

  • 客製化設備符合2”、4“、6”、8“及12”。