晶圓背面清洗機

設備說明

  • 此設備應用於研磨後之晶圓背面清洗,主要為去除晶背Si 粉塵及SiO2。
  • 主要產品應用為:

    1. 晶圓背面需鍍金屬膜,須完全去除晶圓背面Si 粉塵及SiO2 ,須採用少量稀釋之HF做微蝕刻,再以純水清洗。

    2. 小尺寸晶片之晶圓背面單純增加切割膠帶附著力,只需去除90%以上Si 粉塵及SiO2 ,避免晶圓切割歪裂現象,可直接採用純水清洗。

設備特徵

  • 可程式化控制多軸擺臂系統。
  • 霧化系統可將水分子霧化至7~9um。
  • 可程式化控制多軸擺臂系統。
  • 不同產品載盤客製化設計;如wafer form、Frame form、Panel form。
  • 可搭配設備前段模組(EFEM)。
  • 可選配混酸系統、恆溫系統及廢液回收系統。
  • 特殊防爆安全裝置及設計。
  • 通過SEMI-S2認證。
  • 設備機型:1-chamber、 2-chamber 、 4-chamber。

設備適用尺寸

  • 客製化設備符合2”、4“、6”、8“及12”。